n沟道mos管导通条件:增强型n沟道mos管导通条件[朗读]

p沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位.栅极电位比漏极电位低得越多,就越趋于导通.一般低于漏极电位15v就可以完全导通.压差太大就会形成栅极击穿.想关闭就要把栅极电位拉回漏极.结型场效应管只有(耗尽型);mos管有(增强型)和(耗尽型).增强型:就是ugs=0v时漏源极之间没有导电沟道,只有当ugs>开启电压(n沟道)或ugs<开启电压(p沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是ugs=0v时,漏源极之间存在导电沟道。

n沟道增强型mos开关的截止条件是g、s极间的电压ugs大于或等于ugs(th)(也用ut表示)、d、s极间的电压uds大于0。

都是靠在g极上加一个触发电压,使n极与d极导通.对n沟道g极电压为+极性.对p沟道的g极电压为-极性。

万用表打二极管档,g极不管它,黑表笔接d极,红表笔接s极能导通的话就是n沟道,反过来表笔互换能导通就是p沟道,导通电压一般0.4-0.7v,这样能明白了吧。

n-jfet的导通条件是:ugs(off)<ugs<0简单的说,就是当n-jfet处于可变电阻区或恒流区的时候,管子是导通的.截止条件是:ugs<ugs(off)在导通的时候,ug一定是小于us,否则ugs就要变正数,就失去了对导电沟道的控制,很容易损坏g、s之间的pn结.你可以仔细看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版,p40-p44,很清楚的。