n沟道mos管导通条件:增强型n沟道mos管导通条件[朗读]

p沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位.栅极电位比漏极电位低得越多,就越趋于导通.一般低于漏极电位15v就可以完全导通.压差太大就会形成栅极击穿.想关闭就要把栅极电位拉回漏极.结型场效应管只有(耗尽型);mos管有(增强型)和(耗尽型).增强型:就是ugs=0v时漏源极之间没有导电沟道,只有当ugs>开启电压(n沟道)或ugs<开启电压(p沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是ugs=0v时,漏源极之间存在导电沟道。