n沟道mos管导通条件:增强型n沟道mos管导通条件[朗读]

n沟道mos管(一般源极接地),只要栅源电压vgs>vth(通常是0.7v左右),便可在栅极下面的p衬底形成n型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道;这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流同时受vgs和vds控制;当vgd=vgs-vds。

n沟道的mos管导通只要vgs大于其开启电压vth即可.但其阻抗r=1/k(vgs—vth—vds),所以在mos管做好后,其阻抗与vg成反比.只要vg在其额定电压下,越大其阻抗越低。

n沟道栅源电压为正,且大于阈值电压时候晶体管导通;p沟道栅源电压为负,绝对值大于阈值电压时候也会导通。

很多,像2n7002基本上3v不到就可以完全导通了。

nmos增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4v之间,正常导通时的ugs一定大于ugs(th),因此也一定是一个正数.电压在范围内一般就导通,电压值不够不导通。