mos管导通条件:增强型mos管导通条件[朗读]

首先确定一点:不管是nmos还是pmos,只要是导通状态(nmos导通:ug>us;nmos导通:ug其次一点:一般情况下mos管用处比较多的是“开关作用”,电路连接为:mos管的方向为寄生二极管的负极接电压高的一方.最后一点:mos管还有“反向截止作用”,类似于普通二极管的作用.用mos管的反向截止作用,与普通二极管比较来说,优点在于mos管的导通压降小于普通二极管导通压降,即大电流流过时,mos管不容易发热(与二极管比较)。

1、对pmos增强型管是正确的,耗尽型则不同.2、pmos的特性,vgs小于一定的值就会导通,使用与源极接vcc时的情况(高端驱动).但是,虽然pmos可以很方便地用作高端驱动.3、但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用nmos。

1、对pmos增强型管是正确的,耗尽型则不同.2、pmos的特性,vgs小于一定的值就会导通,使用与源极接vcc时的情况(高端驱动).但是,虽然pmos可以很方便地用作高端驱动.3、但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用nmos。

三极管的导通条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压.发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压ube,是按箭头的指向加pn结的电压,即硅管加0.7v;锗管加0.2v.集电结加反向电压,就是在集电结的pn结上加反压ube才能把基区的电荷吸引过来、.此电压较高,在手机中一般为1~3.6v.pnp三极管的导通电压是ue>ub>uc;npn三极管为uc>ub>ue.ibmin:(vmin-0.6)/r21-0.6/r22max:(vmax-0.6)/r21-0.6/r22??ib.max评论001。

在pqb03收到acdrv这个信号之前是出于截止状态,因vin加到了pqb03的漏极所以p1此时并没有电压.见图:当芯片发出acdrv这个信号后pqb03和pqb04两个nmos开启,此时有了p1和p2,p1为适配器电压19v经prb11和prb12分压(prb12*19/(prb11+prb12)),分压后的电压是4.75v.见下图.那么根据nmos管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5v以上才可以导通,现在源极是19v而栅极是4.75v,这个管子怎么可以导通.见下图.即便此管可以正常导通,但是acdrv得信号电压是25v加到此管的漏极,这个mos管还是不能够导通.见下图: